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| 砷化镓单块超宽带低噪声放大器 | |
| 作者姓名： | 西马正博 曹铁生 |
| 摘 要： | 一、前言砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)作为一种低噪声、高增益的微波放大元件已被研制,现已发展到实用阶段。近年来,实现GaAs单块集成化的工作越来越活跃了。 GaAs集成电路,首先从千兆赫分频器等高速逻辑集成电路开始,近年来已逐渐扩大 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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