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| 分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究 | |
| 引用本文： | 林立,张艳冰,陈世达,何先忠.分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究[J].红外与激光工程,1997(2). |
| 作者姓名： | 林立 张艳冰 陈世达 何先忠 |
| 作者单位： | 电子工业部第十一研究所!北京，100015，电子工业部第十一研究所!北京，100015，电子工业部第十一研究所!北京，100015，电子工业部第十一研究所!北京，100015 |
| 摘 要： | HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下，可将Void缺陷密度降到5×102cm－2以下。 |
| 关 键 词： | 碲镉汞 分子束外延 晶体缺陷 扫描-透射式显微镜 X射线能谱 |
VOID DEFECT OF MOLECULAR BEAM EPITAXIAL HgCdTe LAYER GROWN ON GaAs SUBSTRATE |
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| Lin Li, Zhang Yanbing, Chen Shida, He XanZhong.VOID DEFECT OF MOLECULAR BEAM EPITAXIAL HgCdTe LAYER GROWN ON GaAs SUBSTRATE[J].Infrared and Laser Engineering,1997(2). | |
| Authors: | Lin Li Zhang Yanbing Chen Shida He XanZhong |
| Affiliation: | North China Research Institute of Electric-Optics Beijing 100015 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Mercury cadmium telluride Molecular beam epitaxy Crystal defect Scanning-transmission microscope X-ray energy spectrum |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |