| 半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨 |
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| 引用本文： | 寇文杰,王晓飞. 半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨[J]. 电子测试, 2015, 0(13) |
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| 作者姓名： | 寇文杰 王晓飞 |
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| 作者单位： | 洛阳单晶硅集团有限责任公司,471000 |
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| 摘 要： | 半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用，为此，本文加强对硅片的退火技术检测，希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅，硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现，需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理，消除硅片中氧施主的影响，内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节，是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。
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| 关 键 词： | 半导体 硅片 退火 检测工艺 |
Discussion on the development of semiconductor wafer annealing detection technology |
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| Kou Wenjie,Wang Xiaofei. Discussion on the development of semiconductor wafer annealing detection technology[J]. Electronic Test, 2015, 0(13) |
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| Authors: | Kou Wenjie Wang Xiaofei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor The wafer Detection technology |
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