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| nc-Si/a-SiO_x:H复合薄膜的结构及光吸收特性 | |
| 作者姓名： | 郭震宁 郭亨群 王加贤 张文珍 李世忱 |
| 作者单位： | 华侨大学应用物理系!泉州362011(郭震宁，郭亨群，王加贤，张文珍)，天津大学精密仪器与光电子工程学院!天津300072(李世忱) |
| 基金项目： | 国家自然科学重大基金项目 (NO.69896260)，集成光电子学国家重点实验室开放课题基金项目 (NO.11E01) |
| 摘 要： | 采用 PECVD技术制备的 a－ SiO_x:H (0 SiO_x:H基质的量子点复合膜（ nc－ Si/a－ SiO_x:H）。利用 TEM技术， Raman散射谱和光吸收谱等 ,较系统地研究了该复合膜的膜结构和光吸收特性。实验结果表明：纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构，颗粒大小随退火温度升高而增大。复合膜光吸收边随纳米硅颗粒尺寸的减小发生了蓝移，表现出明显的量子限域效应。 |
| 关 键 词： | nc-Si/a-SiOx:H复合膜 PECVD技术 热退火 光吸收 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |