| 内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序 |
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| 引用本文： | 李煜,李瑞伟,王纪民. 内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序[J]. 半导体学报, 2003, 24(5): 556-560 |
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| 作者姓名： | 李煜 李瑞伟 王纪民 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京100084(李煜，李瑞伟)，清华大学微电子学研究所 北京100084(王纪民) |
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| 摘 要： | 以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现.
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| 关 键 词： | 设备模型 工艺模拟 离子注入 沟道效应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)05-0556-05 |
| 修稿时间： | 2002-05-25 |
A Simulation Program with Equipment Model in Ion Implantation Process |
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| Li Yu,Li Ruiwei and Wang Jimin. A Simulation Program with Equipment Model in Ion Implantation Process[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(5): 556-560 |
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| Authors: | Li Yu Li Ruiwei Wang Jimin |
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| Abstract: | Taking the process of ion implantation as an example,the necessity of establishing an equipment model in process simulation is put forward.A program is made to realize the intention. |
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| Keywords: | equipment model process simulation ion implantation channeling effects |
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