| AlGaN/GaN异质结材料的中子辐照效应 |
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| 引用本文： | 谷文萍,全思,张林,徐小波,刘盼芝.AlGaN/GaN异质结材料的中子辐照效应[J].半导体技术,2015,40(3):217-221. |
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| 作者姓名： | 谷文萍 全思 张林 徐小波 刘盼芝 |
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| 作者单位： | 长安大学电子与控制工程学院,西安710064;西安电子科技大学微电子学院,西安710071;长安大学电子与控制工程学院,西安,710064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(41101357);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CHD2012JC095);陕西省自然科学基金资助项目(2013JQ7028,2014JQ8344);博士后基金资助项目(2013M540732);西安市科技计划资助项目(CXY1441(9)) |
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| 摘 要： | 采用归一化能量1 MeV的中子脉冲反应堆对AlGaN/GaN异质结材料进行了辐照研究.实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载流子浓度ns下降造成了沟道串联电阻的增加和异质结构阈值电压(VTH)的正向漂移.分析认为,辐照感生类受主缺陷是造成ns下降和阈值电压漂移的原因.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)的测试结果表明,辐照后材料的表面形貌有所恶化,材料应变基本不变,而材料的螺位错和刃位错密度辐照后都略有增加.此外,实验结果还表明初始材料质量越好,辐照退化越小.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN异质结构 中子辐照 受主缺陷 表面形貌 晶格应力 |
Neutron Radiation Effects of AlGaN/GaN Heterostructures Materials |
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| Gu Wenping;Quan Si;Zhang Lin;Xu Xiaobo;Liu Panzhi.Neutron Radiation Effects of AlGaN/GaN Heterostructures Materials[J].Semiconductor Technology,2015,40(3):217-221. |
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| Authors: | Gu Wenping;Quan Si;Zhang Lin;Xu Xiaobo;Liu Panzhi |
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| Affiliation: | Gu Wenping;Quan Si;Zhang Lin;Xu Xiaobo;Liu Panzhi;School of Electronic and Control Engineering,Chang’an University;School of Microelectronics,Xidian University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN heterostructure neutron radiation acceptor defect surface morphology lattice stress |
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