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| 一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析 | |
| 作者姓名： | 余振兴 冯军 |
| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所, 江苏南京 210096 |
| 摘 要： | 本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2dB至4dB,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50dB.整个电路的直流功耗小于32mW. |
| 关 键 词： | 分布式混频器 宽中频 栅注入混频器(GPM) 功率合成 毫米波(MMW) |
| 收稿时间： | 2013-09-09 |
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