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| 高电流密度氧化物阴极进展 | |
| 引用本文： | 严增濯.高电流密度氧化物阴极进展[J].光电技术,2005,46(2):19-24. |
| 作者姓名： | 严增濯 |
| 作者单位： | 华东电子集团公司,南京210028 |
| 摘 要： | 氧化物阴极直流运用的发射电流密度为0．5A／cm^2，如使用Sc2O3分配式氧化物阴极，可使发射电流密度提高到2A／cm^2，而使用Ba2Sc2O5分配式氧化物阴极则有进一步提高到3．8Am／cm^2的可能。若采用Sc2O3的钨薄膜分配式氧化物阴极，则可进一步达到4A/cm^2不掺杂物质，仅将(Ba,Sr，Ca)O制成亚微米氧化物阴极也可将电流密度从0．5A／cm^2提高到2A／cm^2。 |
| 关 键 词： | 氧化物阴极 高电流密度 发射电流密度 分配式 掺杂物质 钨薄膜 亚微米 |
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