高电流密度氧化物阴极进展 |
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引用本文: | 严增濯.高电流密度氧化物阴极进展[J].光电技术,2005,46(2):19-24. |
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作者姓名: | 严增濯 |
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作者单位: | 华东电子集团公司,南京210028 |
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摘 要: | 氧化物阴极直流运用的发射电流密度为0.5A/cm^2,如使用Sc2O3分配式氧化物阴极,可使发射电流密度提高到2A/cm^2,而使用Ba2Sc2O5分配式氧化物阴极则有进一步提高到3.8Am/cm^2的可能。若采用Sc2O3的钨薄膜分配式氧化物阴极,则可进一步达到4A/cm^2不掺杂物质,仅将(Ba,Sr,Ca)O制成亚微米氧化物阴极也可将电流密度从0.5A/cm^2提高到2A/cm^2。
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关 键 词: | 氧化物阴极 高电流密度 发射电流密度 分配式 掺杂物质 钨薄膜 亚微米 |
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