| PbTe薄膜表面氧化机理研究 |
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| 引用本文： | 斯剑霄,王擎雷,吴海飞,张寒洁,吴惠桢,徐天宁,夏明龙.PbTe薄膜表面氧化机理研究[J].真空科学与技术学报,2008,28(3):208-212. |
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| 作者姓名： | 斯剑霄 王擎雷 吴海飞 张寒洁 吴惠桢 徐天宁 夏明龙 |
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| 作者单位： | 浙江大学物理系,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 用分子束外延方法在BaF2（111）衬底上生长了PbTe单晶薄膜，原子力显微镜（AFM）的表面形貌表征显示PbTe表面具有单原子层的平整性，并观察到由螺位错形成的螺旋台阶面。高分辨X射线衍射（HRXRD）测量得到PbTe（111）衍射峰的线宽〈100afc sec，表明薄膜具有优良的晶体结构特性。然后将样品暴露于大气环境中3个月后，用X射线光电子谱（XPS）分析了PbTe表面的氧化机理，发现PbTe表面氧化形成了PbO和TeO2，接着将样品在超高真空中加温，同时测量样品表面的Pb、Te、O元素价态、束缚能、含量等参量随温度的变化，发现在温度达到475℃时PbTe样品表面的氧化层已除去，获得了较干净的PbTe表面，为PbTe光电器件工艺提供了实验依据。
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| 关 键 词： | 化合物半导体 异质外延 氧化 XPS PbTe 薄膜 表面氧化 机理研究 Films Surface Oxidation 实验 器件工艺 光电子谱 氧化层 变化 温度 参量 含量 束缚能 元素价态 同时测量 加温 超高真空 发现 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)03-208-05 |
| 修稿时间： | 2007年7月24日 |
Study of Surface Oxidation of PbTe Films |
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| Si Jianxiao,Wang Qinglei,Wu Haifei,Zhang hanjie,Wu Huizhen,Xu Tianning,Xia Minglong.Study of Surface Oxidation of PbTe Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(3):208-212. |
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| Authors: | Si Jianxiao Wang Qinglei Wu Haifei Zhang hanjie Wu Huizhen Xu Tianning Xia Minglong |
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