| 硒化Cu,In双层膜制备CuInSe2薄膜 |
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| 引用本文： | 王延来,果世驹. 硒化Cu,In双层膜制备CuInSe2薄膜[J]. 太阳能学报, 2011, 32(7): 969-973 |
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| 作者姓名： | 王延来 果世驹 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,呼和浩特010021
2. 北京科技大学粉末冶金研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用超声波电沉积方法在钼衬底上制备了Cu,In双层膜,随后硒化得到了CuInSe2薄膜.采用扫描电镜( SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜的表面形貌、化学成分和相组成.结果表明:利用超声波电沉积可以得到颗粒细小、均匀致密的Cu层和In层；采用不同的工艺参数可以调节双层膜的Cu/In比率；双层膜在130C下,退火6h后进行硒化,可得到符合化学计量比的CuInSe2薄膜.
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| 关 键 词： | CuInSe2薄膜 超声波电沉积 硒化 |
PREPARATION OF CuInSe2 THIN FILMS BY SELENIZATION OF Cu, In DOUBLE LAYER FILMS |
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| Wang Yanlai,Guo Shiju. PREPARATION OF CuInSe2 THIN FILMS BY SELENIZATION OF Cu, In DOUBLE LAYER FILMS[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2011, 32(7): 969-973 |
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| Authors: | Wang Yanlai Guo Shiju |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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