| 大功率GaN器件接地特性与稳定性研究 |
| |
| 引用本文： | 孙引进,顾颖言,蔡晓波,谢 宁,蒋拥军.大功率GaN器件接地特性与稳定性研究[J].微波学报,2022,38(1):62-65. |
| |
| 作者姓名： | 孙引进 顾颖言 蔡晓波 谢 宁 蒋拥军 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十四研究所,南京 210039 |
| |
| 摘 要： | GaN器件的工艺和技术进步,将输出功率提高到数百瓦甚至数千瓦量级。但是,大功率GaN器件相应的使用规范和标准,如接地要求,在仿真设计和工程应用中一直没有明确。文章针对大功率GaN 器件的接地特性进行分析,通过仿真和试验验证了超大功率GaN 器件功放电路中,接地条件对电路自身稳定性的重要性。明确了大功率和超大功率GaN 器件的接地阻抗<1 mΩ 使用标准,同时对接地金属接触表面的长期可靠性做出要求。
|
| 关 键 词： | GaN器件 大功率 接地特性 接触电阻 稳定性 |
Research on the Ground Situation and Stability of Highly Output Power GaN Device |
| |
| SUN Yin-jin,GU Yin-yan,CAI Xiao-bo,XIE Ning,JIANG Yong-jun.Research on the Ground Situation and Stability of Highly Output Power GaN Device[J].Journal of Microwaves,2022,38(1):62-65. |
| |
| Authors: | SUN Yin-jin GU Yin-yan CAI Xiao-bo XIE Ning JIANG Yong-jun |
| |
| Affiliation: | The 14th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Nanjing 210039, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN device high output power ground situation contact resistance stability |
|
| 点击此处可从《微波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微波学报》下载全文 |
|
