|
|||||
|
|
| A位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的制备及铁电性能研究 | |
| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法制A位掺杂Bi4Ti3O12(BTO)的铁电薄膜Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)、Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)及Bi3.15(La0.5Nd0.5)0.85Ti3O12(BLNT);XRD结果表明制备的薄膜具有(117)和(00l)的混合取向;在10V电压下,BLT、BLNT和BNT薄膜的Pr分别为13.14μC/cm2、20.65μC/cm2和21.23μC/cm2;FE-SEM显示BNT薄膜表面光滑致密,颗粒均匀,薄膜厚度约为300nm。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |