| 电场对N*-Sc*相变序铁电液晶器件层排列的影响 |
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| 引用本文： | 乌日娜,岱钦,姚丽双,彭增辉,宣丽. 电场对N*-Sc*相变序铁电液晶器件层排列的影响[J]. 半导体光电, 2008, 29(6): 916-918 |
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| 作者姓名： | 乌日娜 岱钦 姚丽双 彭增辉 宣丽 |
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| 作者单位： | 沈阳理工大学,理学院,辽宁,沈阳,110168;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，吉林省教育厅科研项目 |
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| 摘 要： | N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD.控制分子层排列是获得良好器件性能的关键.深入分析了电场对分子层排列的影响,提出了分子层排列模型,为提高器件性能提供了有益的参考.
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| 关 键 词： | 铁电液晶 N*-Sc*相变 层排列 |
Influence of Electric Field on Layer Alignment in N*-Sc* Sequence Phase Transition Ferroelectric Liquid Crystal Cell |
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| WU Ri-na,DAI Qin,YAO Li-shuang,PENG Zeng-hui,XUAN Li. Influence of Electric Field on Layer Alignment in N*-Sc* Sequence Phase Transition Ferroelectric Liquid Crystal Cell[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2008, 29(6): 916-918 |
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| Authors: | WU Ri-na DAI Qin YAO Li-shuang PENG Zeng-hui XUAN Li |
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