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采用非硅氧化物可以克服硅CMOS集成电路缩小尺寸过程中栅氧化层减薄所带来的

作者姓名：	M＼yrva R 王正华

摘要：
关键词：	硅CMOS集成电路非硅氧化物栅氧化层 IC
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