| 温度对碳热还原合成SiC晶须的影响 |
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| 引用本文： | 万隆,李德意,刘文超,魏坤,唐绍裘.温度对碳热还原合成SiC晶须的影响[J].陶瓷学报,2001,22(4):220-223. |
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| 作者姓名： | 万隆 李德意 刘文超 魏坤 唐绍裘 |
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| 作者单位： | 湖南大学 湖南大学 湖南大学 湖南大学 湖南大学 |
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| 摘 要： | 以工业硅溶胶和碳黑为主要原料,用溶胶-凝胶和碳热还原法进行了合成SiC晶须的试验,探讨了合成温度对产物组成微观形貌的影响.结果表明:合成SiC晶须适合的温度为1600℃,在此条件下得到的产物中SiC晶须含量最高(74%以上)、质量最好.
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶 碳热还原反应 温度 SiC晶须 |
| 文章编号： | 1000-2278(2001)04-0220-04 |
| 修稿时间： | 2001年9月20日 |
INFLUENCE OF TEMPERATURE ON THE SYNTHETIC WHISKER SiC BY CARBON THERMAL REDUCTION METHOD |
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| Wan Long,Li Deyi,Liu Wenchao,Wei Kun,Tang Shaoqiu.INFLUENCE OF TEMPERATURE ON THE SYNTHETIC WHISKER SiC BY CARBON THERMAL REDUCTION METHOD[J].Journal of Ceramics,2001,22(4):220-223. |
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| Authors: | Wan Long Li Deyi Liu Wenchao Wei Kun Tang Shaoqiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sol- gel carbon thermal reduction reaction temperature SiC whisker |
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