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| LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究 | |
| 作者姓名： | 剧永波 陈建军 张宸铭 简月圆 熊正平 张龙泉 赵东升 罗少先 刘昊 孙宏伟 白贺鹏 |
| 作者单位： | 1. 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司, 内蒙古 鄂尔多斯 017000; 2. 京东方科技集团股份有限责任公司, 北京 100176 |
| 摘 要： | 本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素。在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善。光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力。 |
| 关 键 词： | 粘附力 光刻胶 钼 钛 氧化铟锡 多晶硅 非晶硅 氮化硅 |
| 收稿时间： | 2016-09-22 |
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