离能离子注入硅的无损表征

将能量为３ＭｅＶ，剂量为５×１０＾１５ｃｍ＾－２的硼离子注入硅单晶，经１０５０℃，２０ｓ退火形成导电埋层。本文应用Ｘ－射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应，应用计算机模拟红外反射谐，获得了载流子分布，迁移率和高能注入离子的电激活率。