| 瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究 |
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| 引用本文： | 徐立,钱佩信,侯东彦,林惠旺,李志坚,王豫生,阎建华,郑胜男.瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究[J].半导体学报,1985,6(1):76-81. |
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| 作者姓名： | 徐立 钱佩信 侯东彦 林惠旺 李志坚 王豫生 阎建华 郑胜男 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所
(徐立，钱佩信，侯东彦，林惠旺，李志坚)，清华大学原子能研究所
(王豫生，阎建华)，清华大学原子能研究所(郑胜男) |
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| 摘 要： | 高剂量As注入Si的样品,经红外瞬态辐照退火能获得亚稳态载流子浓度(体浓度可高达6×10~(20)cm~(-3)),明显超过800℃时热平衡条件下As在Si中的固溶度值(1.9×10~(10~(20)cm~(-3)).红外瞬态退火后再进行不同温度(室温-800℃)的后热处理,发现在处理温度390℃以上时,激活的杂质浓度随着时间加长而显著下降.本文报道上述失活现象的实验研究结果(霍耳效应测试和阳极氧化剥层技术、TEM、RBS随机谱、沟道谱和沟道产额角分布等实验结果),通过对这些实验的综合分析,讨论了激活As原子的失活机理.
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