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| a——Si：H CCD的转移特性分析 | |
| 引用本文： | 袁奇燕,徐重阳.a——Si：H CCD的转移特性分析[J].液晶与显示,1996,11(2):149-154. |
| 作者姓名： | 袁奇燕 徐重阳 |
| 摘 要： | 本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。 |
| 关 键 词： | CCD 带隙态分布 转移特性 氢化非晶硅 |
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