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| 半导体生产用氮气纯化工艺的改进 | |
| 引用本文： | 孙玉光.半导体生产用氮气纯化工艺的改进[J].深冷技术,1991(5). |
| 作者姓名： | 孙玉光 |
| 作者单位： | 辽宁锦州华光电子管厂 121001 |
| 摘 要： | 介绍了三个阶段的纯化工艺改造,即催化除氧和吸附干燥的纯化方法;从普氮分馏塔中直接抽取氮气终端纯化的方法;高纯氮塔中压直接送出。纯度99.999%N_2以上,露点-60℃以下,已能满足集成电路生产的需要。 |
| 关 键 词： | 半导体生产 高纪氦气 纯化工艺 催化吸附 终端纯化 高纯氦塔 |
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