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| BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究 | |
| 引用本文： | 付婷婷,伍灵慧,张晋,王亮亮,袁野,张瑶,李明非,刘怀民.BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究[J].核电子学与探测技术,2016(4):416-419,429. |
| 作者姓名： | 付婷婷 伍灵慧 张晋 王亮亮 袁野 张瑶 李明非 刘怀民 |
| 作者单位： | 1. 东北师范大学,长春,130024;2. 中国科学院高能物理研究所,北京,100049 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究(2015CB856700);国家自然科学基金(11575222,U1232201,11205184)资助 |
| 摘 要： | 硅像素径迹室是BESⅢ升级项目之一,离线软件校准是其离线数据处理系统的重要组成部分,研究过程采用蒙特卡罗方法,将残差法应用于漂移室升级项目中硅像素径迹室的几何位置校准,分别以ladder、芯片为最小探测单元进行研究,结果表明,该方法可有效应用于硅像素径迹室的位置校准。 |
| 关 键 词： | 硅像素径迹室 漂移室 校准 残差法 |
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