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| 快速离化二极管（FID）开关特性分析 | |
| 引用本文： | 赵星汉,王松涛,张虓.快速离化二极管（FID）开关特性分析[J].电光系统,2009(1). |
| 作者姓名： | 赵星汉 王松涛 张虓 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第二十七研究所,郑州450015 |
| 摘 要： | 高功率半导体快速开关器件-FID（Fast Ionization Dynistors快速离化二极管开关）在高功率微波、超宽带技术等方面具有较广的应用。本文详细介绍了FID的基本参数与结构、工作机理，介绍利用FID研制的脉冲发生器和利用FID作为脉冲锐化开关的脉冲实验。 |
| 关 键 词： | FID 半导体开关 超宽带 脉冲发生器 |
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