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| α/β相变对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响 | |
| 作者姓名： | 徐洁 周万城 王俊勃 苏晓磊 贺辛亥 |
| 作者单位： | 1. 西安工程大学机电工程学院,西安,710048 2. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
| 基金项目： | 陕西省教育厅自然科学专项基金，国家自然科学基金，西安工程大学校管 |
| 摘 要： | 采用反应烧结工艺,通过添加硬脂酸,制备孔径为0.8mm,孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的低密度多孔氯化硅陶瓷,研究了α/β相变对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响.通过调节氮化温度和时间,可得到具有不同β相相对含量(质量分数,下同)的多晶氮化硅陶瓷.结果表明:氮化温度高于1 400℃时发生α/β相变,随着氮化温度的提高和... |
| 关 键 词： | 氮化硅陶瓷 相变 介电性能 点缺陷 |
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