| ft =203GHz的超高速InP/InGaAs双异质结晶体管 |
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| 引用本文： | 苏永波,金智,程伟,刘新宇,徐安怀,齐鸣.ft =203GHz的超高速InP/InGaAs双异质结晶体管[J].半导体学报,2009,30(1):014002-3. |
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| 作者姓名： | 苏永波 金智 程伟 刘新宇 徐安怀 齐鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050 |
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| 摘 要： | 为了适应数字及模拟电路带宽的不断增加，我们在传统的台面结构基础上利用BCB钝化平坦化工艺技术，设计并研制了InP/InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。我们研制的晶体管ft达到203GHz，是目前国内InP基DHBT的最高水平，发射极尺寸为1.0μm×20μm，电流增益β为166，击穿电压为4.34V，我们的器件采用了40nm高掺杂InGaAs基区，以及203nm含有InGaAsP复合式结构的集电区。该器件非常适合高速中功耗方面的应用。
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| 关 键 词： | 磷化铟 异质结双极型晶体管 平坦化 |
Ultra high-speed InP/InGaAs DHBTs with ft of 203 GHz |
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| Su Yongbo,Cheng Wei,Liu Xinyu,Xu Anhuai,Xu Anhuai and Qi Ming.Ultra high-speed InP/InGaAs DHBTs with ft of 203 GHz[J].Chinese Journal of Semiconductors,2009,30(1):014002-3. |
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| Authors: | Su Yongbo Cheng Wei Liu Xinyu Xu Anhuai Xu Anhuai and Qi Ming |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050, China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InP DHBT BCB passivation |
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