| 基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工 |
| |
| 引用本文： | 臧跃,周海,徐晓明,卓志国.基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工[J].制造业自动化,2013(10):36-37,41. |
| |
| 作者姓名： | 臧跃 周海 徐晓明 卓志国 |
| |
| 作者单位： | 盐城工学院;江苏大学;常州大学 |
| |
| 基金项目： | 江苏省自然科学基金项目(BK2008197);江苏省高校科研成果产业化推进项目(JH10-X048);江苏省“青蓝工程”;江苏省新型环保重点实验室开放课题基金(AE201120);江苏省生态环境材料重点建设实验室开放课题资助(EML2012013);国际科技合作聘专重点项目的资助 |
| |
| 摘 要： | 本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法。为了实现对碳化硅衬底的高效低损伤研磨加工,对碳化硅衬底的行星机构双面研磨轨迹进行了优化。通过选择适当的加工参数,使工件处于摆线中间的环带部分,将有助于对工件进行均匀研磨并提高材料去除率。实验表明:采用320号碳化硼磨料双面研磨碳化硅衬底90min后,可以获得Ra为0.579μm;材料去除率达到1.53μm/min。
|
| 关 键 词： | 双面研磨轨迹优化 碳化硅衬底 均匀性 材料去除率 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
