| 852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长 |
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| 引用本文： | 徐华伟,宁永强,曾玉刚,张星,秦莉.852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长[J].光学精密工程,2013,21(3). |
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| 作者姓名： | 徐华伟 宁永强 曾玉刚 张星 秦莉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林长春130033;中国科学院大学,北京100049
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，国家自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852 nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题.基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温度的漂移,结果显示,采用In0.15Al0.11Ga0.74As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的波长温漂稳定性.使用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)外延生长了In0.15Al0.11Ga0.74As/Al03Ga07As有源区,通过反射各向异性谱(RAS)在线监测和PL谱研究了InAlGaAs/AlGaAs界面的外延质量,实验证明了通过降低生长温度和在InAlGaAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得InAlGaAs/AlGaAs陡峭界面.最后,采用优化后的外延生长条件,研制出了InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.实验测试结果显示,其光谱半高宽为1.1 nm,斜率效率为0.64 W/A,激射波长随温度漂移为0.256 nm/K.理论计算结果与实验测试结果相吻合,证明器件性能满足在高温环境下工作的要求.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 应变量子阱 外延生长 波长漂移 反射各向异性谱 |
Design and epitaxial growth of quantum-well for 852 nm laser diode |
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| XU Hua-wei
,
NING Yong-qiang
,
ZENG Yu-gang
,
ZHANG Xing
,
QIN Li.Design and epitaxial growth of quantum-well for 852 nm laser diode[J].Optics and Precision Engineering,2013,21(3). |
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| Authors: | XU Hua-wei NING Yong-qiang ZENG Yu-gang ZHANG Xing QIN Li |
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