| 本征微晶硅薄膜孵化层的深入研究 |
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| 引用本文： | 张旭营,卢景霄,陈永生,高海波. 本征微晶硅薄膜孵化层的深入研究[J]. 真空, 2011, 48(4) |
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| 作者姓名： | 张旭营 卢景霄 陈永生 高海波 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南郑州,450052 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973)项目(No.2006CB202601) |
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| 摘 要： | 采用VHF-PECVD技术沉积微晶硅薄膜,获得较高的生长速度,但是薄膜质量较差,这与初始生长过程中生成厚的非晶孵化层关系密切。本研究表明,孵化层的厚度与硅烷浓度、功率密切相关:低的硅烷浓度,能保证成膜过程中氢原子打破弱键的几率,逐层生长现象明显;大的馈入功率,能保证更多氢原子参与成膜反应,减少悬键缺陷。这两方面的优化,最终把孵化层降低到26.55 nm。
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| 关 键 词： | VHF-PECVD 本征微晶硅 孵化层 逐层生长 |
Further study of the incubation layer in hydrogenated microcrystalline silicon film growth |
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| ZHANG Xu-ying,LU Jing-xiao,CHEN Yong-sheng,GAO Hai-bo. Further study of the incubation layer in hydrogenated microcrystalline silicon film growth[J]. Vacuum(China), 2011, 48(4) |
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| Authors: | ZHANG Xu-ying LU Jing-xiao CHEN Yong-sheng GAO Hai-bo |
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| Affiliation: | ZHANG Xu-ying,LU Jing-xiao,CHEN Yong-sheng,GAO Hai-bo(Key Laboratory of Materials Physics of Ministry of Education,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China) |
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