|
|||||
|
|
| 高速双极型1K位随机存储器(RAM) | |
| 引用本文： | 孙祖希.高速双极型1K位随机存储器(RAM)[J].计算机研究与发展,1978(1). |
| 作者姓名： | 孙祖希 |
| 摘 要： | 要提高数据处理机的处理能力,就要提高所用元件的性能。在最新的计算机中,中央处理器(CPU)中已使用亚毫微秒逻辑元件。但是为直接对应于从这样高速的CPU 中取数,不能说缓冲存储器原来的几十毫微秒的速度就够了。作者从上述背景提出研制取数时间小于10ns、每芯片1K 位的超高速大容量缓冲存储器用的器件。这次,完成了电路设计,试制了存储器。本文扼要地介绍了试制存储器的设计和特性1 研制的目标和存储器的组成图1为公开发表的,并具有代表性的MOS和双极半导体存储器的取数时间与功耗的关系。同时,也给出了要试制存储器的性能的目 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |