| 单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究 |
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| 引用本文： | 黄伟志,韩晓军,吴旻,潘姬.单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究[J].天津工业大学学报,2002,21(4):67-69. |
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| 作者姓名： | 黄伟志 韩晓军 吴旻 潘姬 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,天津,300072
2. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究，介绍了氟化物反应离子刻蚀机理，对CF4和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析，总结出刻蚀优化工艺条件，解决了刻蚀中存在的工艺难题。试验表明，在CF4加O2的优化工艺条件下，其刻蚀具有良好的各各异性和较高的重复性，获得了良好的刻蚀效果。
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| 关 键 词： | 单晶硅 刻蚀工艺 反应离子刻蚀 波导基槽 活性基 集成电路 |
| 文章编号： | 1671-024X(2002)04-0067-03 |
| 修稿时间： | 2001年10月28 |
Research of monocrystalline silicon waveguide basis trough etching technology |
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| HUANG Wei-zhi ,HAN Xiao-jun ,WU Min ,PAN Ji.Research of monocrystalline silicon waveguide basis trough etching technology[J].Journal of Tianjin Polytechnic University,2002,21(4):67-69. |
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| Authors: | HUANG Wei-zhi HAN Xiao-jun WU Min PAN Ji |
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| Affiliation: | HUANG Wei-zhi 1,2,HAN Xiao-jun 1,WU Min 1,PAN Ji 2 |
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| Abstract: | The study is conducted on reactive ion etching(RIE) of buried monocrytalline silicon wave guide base trough. The mechanism of fluoride RIE is introduced in the paper. Etching velocity and etching effect are analysed in different technology condition with CF 4 and SF 6. Etching optimization technology condition is summarized and problems of etching technology are solved. The experiment indicates that there are excellent anisotropy, high reproducibility and good etching effect by using CF 4 and O 2 etching in the optimization technology condition. |
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| Keywords: | reaction ion etching waveguide basis trough active group |
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