| ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展 |
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| 引用本文： | 朱崇强,杨春晖,王猛,夏士兴,马天慧,吕维强. ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展[J]. 无机材料学报, 2008, 23(6) |
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| 作者姓名： | 朱崇强 杨春晖 王猛 夏士兴 马天慧 吕维强 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV (1.61±0.06)eV和E(Ge Zn)=EV (1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
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| 关 键 词： | ZnGePz晶体 电子顺磁共振 受主缺陷 施主缺陷 密度泛函理论 |
Developments of Point Defects in ZnGeP2 Crystals |
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| ZHU Chong-Qiang,YANG Chun-Hui,WANG Meng,XIA Shi-Xing,MA Tian-Hui,L Wei-Qiang. Developments of Point Defects in ZnGeP2 Crystals[J]. Journal of Inorganic Materials, 2008, 23(6) |
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| Authors: | ZHU Chong-Qiang YANG Chun-Hui WANG Meng XIA Shi-Xing MA Tian-Hui L Wei-Qiang |
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| Affiliation: | ZHU Chong-Qiang,YANG Chun-Hui,WANG Meng,XIA Shi-Xing,MA Tian-Hui,L(U) Wei-Qiang |
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