| 单晶硅氮化动力学 |
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| 引用本文： | 李立本 孙贵如. 单晶硅氮化动力学[J]. 浙江大学学报(工学版), 1991, 25(5): 499-506 |
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| 作者姓名： | 李立本 孙贵如 |
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| 作者单位： | 浙江大学半导体材料研究研(李立本)，北京有色金属研究总院(孙贵如)，北京科技大学理化系(冯艳丽，李净，李文超)，北京科技大学理化系(王俭) |
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| 基金项目： | 高纯硅与硅烷国家重点实验室资助 |
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| 摘 要： | 在1200°、1250°、及1300℃恒温氮化2小时热重分析基础上,根据气固相反应动力学原理,分析了单晶硅高温氮化动力学,提出了三段论的氮化动力学模型即化学反应控速—混合控速—扩散控速。用该模型处理实验数据,得到了令人满意的相关系数,并求出了P型(111)单晶硅氮化表观活化能及1200℃～1300℃单晶硅氮化时各阶段速度常数k与温度T的经验关系式。
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| 关 键 词： | 单晶硅 氮化动力学 集成电路 |
Nitridation kinetics of silicon monocrystal |
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| Li Liben. Nitridation kinetics of silicon monocrystal[J]. Journal of Zhejiang University(Engineering Science), 1991, 25(5): 499-506 |
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| Authors: | Li Liben |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon monocrystal kinetics nitridation |
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