飞秒脉冲激光沉积Si基α轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及Ⅰ-Ⅴ特性研究 |
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引用本文: | 周幼华,郑启光,杨光,龙华,陆培祥.飞秒脉冲激光沉积Si基α轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及Ⅰ-Ⅴ特性研究[J].无机材料学报,2006(5). |
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作者姓名: | 周幼华 郑启光 杨光 龙华 陆培祥 |
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作者单位: | 华中科技大学激光技术国家重点实验室,江汉大学物理与信息工程学院 武汉 430056,华中科技大学激光技术国家重点实验室,华中科技大学激光技术国家重点实验室,华中科技大学激光技术国家重点实验室,华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉 430074,武汉 430074,武汉 430074,武汉 430074,武汉 430074 |
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基金项目: | 武汉市青年晨光计划(20035002016-15) |
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摘 要: | 采用飞秒脉冲激光沉积系统,在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜.X射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈c轴择优取向,晶粒的平均直径为20nm.在500℃沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈a轴择优取向.测量了薄膜的电滞回线和Ⅰ-Ⅴ特性曲线,并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的,Ⅰ-Ⅴ特性曲线和铁电性的关联性.a轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC/cm2,矫顽力Ec=48kV/cm.
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关 键 词: | 飞秒 脉冲激光沉积法(PLD) 钛酸铋 铁电薄膜 |
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