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| 飞秒脉冲激光沉积Si基α轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及Ⅰ-Ⅴ特性研究 | |
| 作者姓名： | 周幼华 郑启光 杨光 龙华 陆培祥 |
| 作者单位： | 华中科技大学激光技术国家重点实验室，江汉大学物理与信息工程学院 武汉 430056，华中科技大学激光技术国家重点实验室，华中科技大学激光技术国家重点实验室，华中科技大学激光技术国家重点实验室，华中科技大学激光技术国家重点实验室，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074 |
| 基金项目： | 武汉市青年晨光计划(20035002016-15) |
| 摘 要： | 采用飞秒脉冲激光沉积系统,在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜．X射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3O12／Si(111)薄膜呈c轴择优取向,晶粒的平均直径为20nm．在500℃沉积的Bi4Ti3O12／Si(111)薄膜呈a轴择优取向．测量了薄膜的电滞回线和Ⅰ-Ⅴ特性曲线,并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的,Ⅰ-Ⅴ特性曲线和铁电性的关联性．a轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC／cm2,矫顽力Ec=48kV／cm． |
| 关 键 词： | 飞秒 脉冲激光沉积法(PLD) 钛酸铋 铁电薄膜 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |