| 两步法制备SnS光电薄膜及其性能 |
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| 引用本文： | 涂信梓,程树英. 两步法制备SnS光电薄膜及其性能[J]. 功能材料与器件学报, 2008, 14(1): 47-50 |
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| 作者姓名： | 涂信梓 程树英 |
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| 作者单位： | 福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002;福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002 |
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| 摘 要： | 用两步法在ITO玻璃基片上制备SnS薄膜,即先在ITO玻璃基片上热蒸发一层Sn膜,然后在一定的温度和时间下在真空系统中进行硫化.在优化工艺条件下制备出附着力好的薄膜,通过扫描电子显微镜、X射线衍射、分光光度计等手段观察和分析测试,表明该薄膜是正交结构的SnS,薄膜表面致密,颗粒大小均匀.根据薄膜的反射光谱和透射光谱,计算得到其在吸收边的吸收系数α>5×104cm-1,直接带隙Eg=1.48eV,适合于作为太阳能电池的吸收层材料.
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| 关 键 词： | 两步法 SnS薄膜 光学性能 |
| 文章编号： | 1007-4252(2008)01-0047-04 |
| 修稿时间： | 2007-07-20 |
Preparation and characteristic of SnS films by a two - stage process |
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| TU Xin-zi,CHENG Shu-ying. Preparation and characteristic of SnS films by a two - stage process[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2008, 14(1): 47-50 |
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| Authors: | TU Xin-zi CHENG Shu-ying |
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