| X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管 |
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| 引用本文： | 吴茹菲,张海英,尹军舰,张健,刘会东,刘训春.X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管[J].半导体学报,2008,29(5):832-835. |
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| 作者姓名： | 吴茹菲 张海英 尹军舰 张健 刘会东 刘训春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz～12.1GHz范围内,正向电流为10mA时的开关电阻小于2.2Ω,而反向电压为-10V时开关电容小于20fF.
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| 关 键 词： | GaAs PIN二极管 低损耗 高隔离 开关 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)05-0832-04 |
| 修稿时间： | 2007年11月21 |
GaAs PIN Diodes for X-Band Low Loss and High Isolation Switches |
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| Wu Rufei,Zhang Haiying,Yin Junjian,Zhang Jian,Liu Huidong and Liu Xunchun.GaAs PIN Diodes for X-Band Low Loss and High Isolation Switches[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(5):832-835. |
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| Authors: | Wu Rufei Zhang Haiying Yin Junjian Zhang Jian Liu Huidong and Liu Xunchun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs PIN diodes low-loss high-isolation switch |
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