一种新的耗尽型短沟道MOS器件阈电压模型

本文研究了耗尽型MOS器件的短沟道效应,把Yau的电荷分配理论推广到耗尽型器件,并作了适当修正,提出了一种简单而精确的耗尽型短沟道MOS器件阈电压分析模型,与实验数据吻合良好,该模型可以应用于这类器件及电路的CAD。