四坩埚磁偏转电子束蒸发源 |
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引用本文: | 孔庆升.四坩埚磁偏转电子束蒸发源[J].真空科学与技术学报,1981(2). |
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作者姓名: | 孔庆升 |
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作者单位: | 华南工学院 |
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摘 要: | 在真空镀膜设备中,电子束蒸发源虽远较电阻加热式蒸发源复杂,但因其能蒸镀难熔材料,膜层纯度高,而优于电阻加热蒸发源。到七十年代中期,磁偏转电子束蒸发源蒸镀提高了淀积率,并克服了环形枪蒸镀时易发生气体放电、功率较小,以及直枪式蒸发源占用空间大,x射线二次电子损伤大的缺点,而获得广泛的应用,特别在集成电路工艺中应用,达到了很好的效果。使用多坩埚电子束蒸发源,可以在一次抽真空的过程中镀制多层膜或合金膜。
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