四坩埚磁偏转电子束蒸发源

在真空镀膜设备中,电子束蒸发源虽远较电阻加热式蒸发源复杂,但因其能蒸镀难熔材料,膜层纯度高,而优于电阻加热蒸发源。到七十年代中期,磁偏转电子束蒸发源蒸镀提高了淀积率,并克服了环形枪蒸镀时易发生气体放电、功率较小,以及直枪式蒸发源占用空间大,x射线二次电子损伤大的缺点,而获得广泛的应用,特别在集成电路工艺中应用,达到了很好的效果。使用多坩埚电子束蒸发源,可以在一次抽真空的过程中镀制多层膜或合金膜。