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| 索尼公司开发成功用于0.18μm工艺的光刻技术 | |
| 作者姓名： | 赵一尘 |
| 摘 要： | 据《国际半导体》杂志（英文）1995年第8期报道，索尼公司已开发成功一种能用于0．18μml艺的光刻技术。在最近几年，为了大规模高密度单芯片器件和ASIC生产的需要，各种数字和多功能的设备大大增强。这就引起光刻技术向缩短爆光波长，即光源从目前的i线向KrF激光的转变。与此同时，也在用斜掩模照射光和相移技术来改善微细光刻的精度。然而，常规的斜照射光方法照在掩模版上可以增加微细图形的焦深。这意味着对低密度图形的曝光是不充分的。另一方面，一种不用斜照射光但结合了分布照射光和相移掩模的技术，需在目标掩模图形的相邻点建… |
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