| 退火对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 李文英,钟建,张柯,汪元元,尹桂林,何丹农. 退火对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜性能的影响[J]. 材料工程, 2015, 43(1): 44-48. DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.01.008 |
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| 作者姓名： | 李文英 钟建 张柯 汪元元 尹桂林 何丹农 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240;2. 纳米技术及应用国家工程研究中心,上海,200241;3. 上海交通大学材料科学与工程学院,上海200240;纳米技术及应用国家工程研究中心,上海200241 |
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| 基金项目： | 科技部国际合作项目，上海市纳米专项 |
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| 摘 要： | 室温下利用磁控溅射制备了ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能与退火温度之间的关系。结果表明:退火前后薄膜均具有ZnO(002)择优取向,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加,薄膜电阻率先降低后升高,光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150℃下真空退火的ZnO/Cu/ZnO薄膜的性能最佳,最高可见光透光率为90.5%,电阻率为1.28×10-4Ω·cm,载流子浓度为4.10×1021cm-3。
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| 关 键 词： | 退火 ZnO Cu 透明导电薄膜 |
Effects of Annealing on Properties of ZnO/Cu/ZnO Transparent Conductive Film |
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| LI Wen-ying,ZHONG Jian,ZHANG Ke,WANG Yuan-yuan,YIN Gui-lin,HE Dan-nong. Effects of Annealing on Properties of ZnO/Cu/ZnO Transparent Conductive Film[J]. Journal of Materials Engineering, 2015, 43(1): 44-48. DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.01.008 |
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| Authors: | LI Wen-ying ZHONG Jian ZHANG Ke WANG Yuan-yuan YIN Gui-lin HE Dan-nong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | annealing ZnO Cu transparent conductive film |
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