| 电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能 |
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| 引用本文： | 董凤,陈少平,胡利方,樊文浩,孟庆森.电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能[J].材料工程,2015,43(2):35-40. |
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| 作者姓名： | 董凤 陈少平 胡利方 樊文浩 孟庆森 |
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| 作者单位： | 太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，山西省青年科学研究基金 |
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| 摘 要： | 采用电场激活扩散连接技术(FADB)实现了AZ31B/Cu的扩散连接.利用SEM、EDS和TEM分析了扩散溶解层的显微组织、相组成和界面元素分布.采用万能试验机对连接界面的抗剪切性能进行了测试.结果表明:AZ31B与Cu通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,扩散温度低于475℃时扩散溶解层由MgCu2、Mg2Cu和MgCuAl组成,此时接头的薄弱环节为Mg2Cu.扩散温度为500℃时扩散溶解层由Mg2Cu、(α-Mg+ Mg2Cu)共晶组织和MgCuAl组成,共晶组织的形成导致接头的抗剪强度进一步降低,并成为新的薄弱环节.当扩散温度为450℃,保温时间为30min时,界面的抗剪强度随保温时间的延长先增大后减小,最大可达40.23MPa.
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| 关 键 词： | 扩散连接 电场 扩散溶解 AZ31B/Cu |
Structure and Properties of AZ31B/Cu Diffusion Interface Under Electric Field |
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| DONG Feng,CHEN Shao-ping,HU Li-fang,FAN Wen-hao,MENG Qing-sen.Structure and Properties of AZ31B/Cu Diffusion Interface Under Electric Field[J].Journal of Materials Engineering,2015,43(2):35-40. |
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| Authors: | DONG Feng CHEN Shao-ping HU Li-fang FAN Wen-hao MENG Qing-sen |
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| Affiliation: | DONG Feng;CHEN Shao-ping;HU Li-fang;FAN Wen-hao;MENG Qing-sen;College of Materials Science and Engineering,Taiyuan University of Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diffusion bonding electric field diffusion dissolution AZ31B/Cu |
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