| Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能 |
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| 引用本文： | 邹凯,李蓉萍,刘永生,田磊,冯松.Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能[J].材料工程,2015,43(3):35-41. |
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| 作者姓名： | 邹凯 李蓉萍 刘永生 田磊 冯松 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特010021;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,呼和浩特010021;2. 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 内蒙古自治区教育厅项目 |
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| 摘 要： | 采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.
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| 关 键 词： | ZnTe薄膜 Sb掺杂 真空蒸发 光学性能 电学性能 |
Structure and Photoelectric Properties of Sb-doped ZnTe Thin Films |
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| ZOU Kai,LI Rong-ping,LIU Yong-sheng,TIAN Lei,FENG Song.Structure and Photoelectric Properties of Sb-doped ZnTe Thin Films[J].Journal of Materials Engineering,2015,43(3):35-41. |
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| Authors: | ZOU Kai LI Rong-ping LIU Yong-sheng TIAN Lei FENG Song |
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| Affiliation: | ZOU Kai;LI Rong-ping;LIU Yong-sheng;TIAN Lei;FENG Song;School of Physical Science and Technology,Inner Mongolia University;Key Laboratory of Semiconductor Photovoltaic Technology at Universities of Inner Mongolia Autonomous Region; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnTe thin film Sb-doped vacuum evaporation optical property electrical property |
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