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| DD-500等离子淀积台设计中的工艺物理 | |
| 引用本文： | 钱福元,郑仰华,王怡德.DD-500等离子淀积台设计中的工艺物理[J].半导体技术,1981(6). |
| 作者姓名： | 钱福元 郑仰华 王怡德 |
| 作者单位： | 一机部自动化所 (钱福元，郑仰华)，北京仪器厂(王怡德) |
| 摘 要： | 等离子(增强)化学汽相淀积(Plasma Enhanced Chemicadl Vapor Deposition)简称PCVD(或PECVD)技术是生长用于半导体器件的固体薄膜的一种新工艺,即低温(<400℃)工艺。DD-500等离子淀积台是为了用PCVD技术生长氮化硅钝化膜而设计的。但本设备还能低温淀积等离子氧化硅作多层布线的介质膜和掺杂的氢化无定形硅(α-Si)制作太阳 |
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