| AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟 |
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| 引用本文： | 冉军学,王晓亮,王翠梅,王军喜,曾一平,李晋闽. AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟[J]. 半导体学报, 2005, 26(z1): 147-150 |
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| 作者姓名： | 冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频率性能.
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| 关 键 词： | HBTs AlGaN/GaN 截止频率 最高振荡频率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0147-04 |
| 修稿时间： | 2004-09-06 |
Simulation on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HBTs |
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| Ran Junxue,Wang Xiaoliang,Wang Cuimei,Wang Junxi,Zeng Yiping,Li Jinmin. Simulation on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HBTs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(z1): 147-150 |
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| Authors: | Ran Junxue Wang Xiaoliang Wang Cuimei Wang Junxi Zeng Yiping Li Jinmin |
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