| 双IGBT缓冲吸收电路研究 |
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| 引用本文： | 叶敏,曹秉刚. 双IGBT缓冲吸收电路研究[J]. 微电机, 2010, 43(7) |
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| 作者姓名： | 叶敏 曹秉刚 |
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| 作者单位： | 1. 长安大学道路施工技术与装备教育部重点实验室,西安,710064
2. 西安交通大学机械工程学院,西安,710049 |
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| 基金项目： | 教育部行动计划重点学科培植项目 |
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| 摘 要： | 为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命,提出双IGBT缓冲吸收电路。针对双RCD型缓冲吸收电路,详述了IGBT关断过程C-E端过电压产生的原因,给出了电路缓冲电容和电阻的确定方法,讨论了不同门极驱动电阻下电路的缓冲吸收效果,通过计算和实验调整确定了电路相关元件参数,指出了IGBT温升设计及其安装的注意事项。实验研究结果表明,双RCD型缓冲吸收电路可显著降低IGBT关断过电压,具有良好的缓冲吸收效果,可保证其安全性、可靠性和稳定性。
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| 关 键 词： | 双IGBT 缓冲吸收 无感电容 温升 |
Snubbed Circuit for Double IGBT |
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| YE Min,CAO Bing-gang. Snubbed Circuit for Double IGBT[J]. Micromotors, 2010, 43(7) |
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| Authors: | YE Min CAO Bing-gang |
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