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Cu/Mo/Cu电子封装材料中Mo的分层问题
引用本文:周俊,王志法,崔大田,吴化波. Cu/Mo/Cu电子封装材料中Mo的分层问题[J]. 中国钼业, 2007, 31(5): 54-56
作者姓名:周俊  王志法  崔大田  吴化波
作者单位:中南大学材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083
摘    要:在Cu/Mo/Cu(CMC)电子封装材料的生产中发现,通过轧制复合后的CMC在加工完成品后,经常出现Mo层的分层现象。为解决这一生产问题,将Mo坯分别在冷轧态、950℃退火态、1050℃退火态、1150℃退火态进行热轧复合,通过金相观察Mo坯的组织形貌,发现1150℃完全再结晶的Mo坯复合后成品率较其它状态要好一些,但还是不能完全解决问题。随后利用冷轧态的Mo坯,热轧复合温度由850℃提高到950℃,能够达到90%的成品率,可以满足生产要求。

关 键 词:电子封装材料  再结晶  热轧温度
文章编号:1006-2602(2007)05-0054-03
收稿时间:2007-08-17
修稿时间:2007-08-17

THE DELAMINATION OF MOLYBDENUM IN Cu/Mo/Cu ELECTRONIC MATERIAL
ZHOU Jun,WANG Zhi-fa,CUI Da-tian,WU Hua-bo. THE DELAMINATION OF MOLYBDENUM IN Cu/Mo/Cu ELECTRONIC MATERIAL[J]. China Molybdenum Industry, 2007, 31(5): 54-56
Authors:ZHOU Jun  WANG Zhi-fa  CUI Da-tian  WU Hua-bo
Affiliation:School of Material Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, Hunan,China
Abstract:
Keywords:Cu/Mo/Cu
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