| 非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析 |
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| 引用本文： | 柴秀丽,曾德长,刘桂雄,余红雅,钟喜春,刘文洁.非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析[J].传感器与微系统,2008,27(9). |
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| 作者姓名： | 柴秀丽 曾德长 刘桂雄 余红雅 钟喜春 刘文洁 |
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| 作者单位： | 华南理工大学,机械工程学院,广东,广州,510640 |
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| 基金项目： | 广东省科技厅科技计划，广东省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用非晶纳米晶带材的巨磁阻抗(GMI)效应制备一种磁传感器,在输出最大值的特定频率下,研究与带材轴线平行和垂直方向磁场的输出特性.研究表明:在10.5 MHz附近的激励频率作用下,传感器输出取得最大值;传感器对平行磁场有一段高灵敏的线性工作区间,对垂直磁场不响应;纳米晶带材GMI磁传感器的灵敏度高达0.669 1 V/Oe,优于非晶带材制备器件的灵敏度0.1483 V/Oe.
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| 关 键 词： | 非晶纳米晶带材 巨磁阻抗效应 磁传感器 |
Characteristic analysis of giant magneto-impedance sensor in amorphous-nanocrystalline film |
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| CHAI Xiu-li,ZENG De-chang,LIU Gui-xiong,YU Hong-ya,ZHONG Xi-cun,LIU Wen-jie.Characteristic analysis of giant magneto-impedance sensor in amorphous-nanocrystalline film[J].Transducer and Microsystem Technology,2008,27(9). |
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| Authors: | CHAI Xiu-li ZENG De-chang LIU Gui-xiong YU Hong-ya ZHONG Xi-cun LIU Wen-jie |
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