| 硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析 |
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| 引用本文： | 杨莺,陈治明,赵高扬.硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析[J].半导体学报,2004,25(4):404-409. |
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| 作者姓名： | 杨莺 陈治明 赵高扬 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系 西安710048
(杨莺，陈治明)，西安理工大学材料物理与化学系 西安710048(赵高扬) |
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| 摘 要： | 利用溶胶-凝胶提拉技术在低阻硅衬底上以钛酸铅(PT)作缓冲层,成功地制备了锆钛酸铅(PZT)高介电常数介质膜,其锆钛组分比为4 5∶5 5 .研究了薄膜结晶状态与制备条件的关系及相应的介电、铁电特性.结果表明,用这种方法制备的PZT薄膜在80 0℃退火1 5 m in晶化已相当完善,以(1 1 0 )为择优取向;这些样品的结晶尺度根据衍射峰的半高宽估计为1 4～2 5 nm左右;采用Sawyer- Tower电路和L CR电桥测试法获得的结果表明,经过80 0℃退火1 5 min的PZT样品,其剩余极化强度为4 7.7μC/ cm2 ,矫顽场强为1 8k V/ cm,介电常数为1 5 8,损耗因子为0 .0 4～0 .0 5 5
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶 锆钛酸铅 钙钛矿相 电滞回线 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)04-0404-06 |
| 修稿时间： | 2003年4月1日 |
Preparation and Characteristics of PZT Films on Si Substrates |
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| Yang Ying ,Chen Zhiming and Zhao Gaoyang ..Preparation and Characteristics of PZT Films on Si Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(4):404-409. |
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| Authors: | Yang Ying Chen Zhiming and Zhao Gaoyang |
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| Affiliation: | Yang Ying 1,Chen Zhiming 1 and Zhao Gaoyang 2. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sol-gel process PZT perovskite hysteresis loops |
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