| 高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能 |
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| 引用本文： | 陈亮,张燕,陈俊,郭丽伟,李向阳,龚海梅.高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能[J].红外与激光工程,2007,36(6). |
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| 作者姓名： | 陈亮 张燕 陈俊 郭丽伟 李向阳 龚海梅 |
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| 摘 要： | 研究了GaN/AlGaN异质结背照式P-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.GaN/MGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AiN,n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7形成窗口层,i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN,P型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN.采用C12、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3cm2.可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310-365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2,对应的探测率D*=2.31×1013·Hz1/2·W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13A.
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| 关 键 词： | GaN/A1GaN p-i-n 紫外探测器 响应光谱 高性能 背照 AlGaN 紫外探测器 characterization Fabrication high performance 暗电流 偏压 探测率 对应 优质因子 内量子效率 表面反射 响应率 区域 波段 面积 光敏面 感应耦合等离子体刻蚀 |
Fabrication and characterization of back-illuminated GaN/A1GaN p-i-n UV detectors with high performance |
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| CHEN Liang,ZHANG Yan,CHEN Jun,GUO Li-wei,LI Xiang-yang,GONG Hai-mei.Fabrication and characterization of back-illuminated GaN/A1GaN p-i-n UV detectors with high performance[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(6). |
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| Authors: | CHEN Liang ZHANG Yan CHEN Jun GUO Li-wei LI Xiang-yang GONG Hai-mei |
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