| 硅基螺旋电感模型及Q值优化 |
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| 引用本文： | 高丹,朱明华,徐元森.硅基螺旋电感模型及Q值优化[J].微处理机,2008,29(1):25-28. |
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| 作者姓名： | 高丹 朱明华 徐元森 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 分析了硅基螺旋电感的集总π模型,讨论了高频下衬底对Q值的影响,并用Matlab仿真了Q值随几何尺寸改变而变化的情况。对于0.35μm CMOS工艺,铜制电感的Q值比同等条件下铝制电感高38.5%,另外增加连线金属的厚度可以有效提高Q值。
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| 关 键 词： | 电感 π模型 Q值 谐振 衬底损耗 |
| 文章编号： | 1002-2279(2008)01-0025-03 |
| 修稿时间： | 2006年11月1日 |
Design Aspects of Spiral Inductors on Silicon: Modeling and Optimizing |
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| GAO Dan,ZHU Ming-hua,XU Yuan-sen.Design Aspects of Spiral Inductors on Silicon: Modeling and Optimizing[J].Microprocessors,2008,29(1):25-28. |
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| Authors: | GAO Dan ZHU Ming-hua XU Yuan-sen |
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| Abstract: | A lumped physical model of spiral inductor on silicon is analyzed,and the substrate losses at high frequency are considered.The impacts of different geometric dimensions to Q are simulated by Matlab.In addition,quality factor of copper inductor is much better than that of aluminum one,and Q value can also be improved by increasing the thickness of metal. |
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