超高真空CVD生长的Si1—xGex合金组分变化与表面偏析现象 |
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引用本文: | 黄靖云,卢焕明.超高真空CVD生长的Si1—xGex合金组分变化与表面偏析现象[J].真空科学与技术,1999,19(2):134-138. |
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作者姓名: | 黄靖云 卢焕明 |
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作者单位: | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
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摘 要: | 系统分析了利用超高真空CVD技术在Si衬底上外延Si-xGex合金的体内组分分布情况和Ge的表面偏析现象。用SIMS对Si和Ge的组分作了深度剖析。在生长过程中,组分均匀,在表面Ge浓度减小,Si浓度没有明显变化。在不经HF酸清洗和在HF酸中去掉表面自然氧化层的两种情况下,用XPS分别对外延层表面进行了定量分析,得到Ge的表面偏析与表面自然氧化相关的结论。
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关 键 词: | 硅锗外延层 表面偏析 超高真空 组分 SIMS CVD |
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